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安世半導(dǎo)體發(fā)布晶圓級(jí)12和30V MOSFET 在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行下可使電力更為持久

2022-07-27 11:37:38  來(lái)源:證券時(shí)報(bào)

安世半導(dǎo)體消息,公司日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝,具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。

關(guān)鍵詞: 安世半導(dǎo)體 溝道小信號(hào) 緊湊晶圓級(jí) 電池續(xù)航

  
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